Алғашқы интегралды микросұлбаны жасаған уақыттан бері микроэлектрониканың дамуы транзисторлардың көлемінің азаюы, олардың кристалда орналасу тығыздығының артуы бағыты бойынша келе жатыр. Транзистор көлемінің азаюы қуат көзінің кернеуінің азаюына әкеледі. Бұл өз кезегінде энергия тұтынуды төмендетеді, кристалдағы транзисторлардың орналасу тығыздығының, жұмыс істеу жылдамдығының артуына әкеледі. Бұрында (1990-жылдардың аяғы) процессорлардың кристалдары 130 нм нормалары бойынша дайындалды, 2002 ж. бастап - 32 нм, ал 2011 ж. бастап - 22 нм. 45-нм нормалары бойынша Intel-да жобаланған транзистор өзінің 65-нм үлгісін жылдамдық сипаттамасы бойынша шамамен 20%-ға алда және жұмсалатын энергияның көзқарасынан 30%-ға үнемдірек.
30–31 декабря, 2015